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IXTA1N170DHV

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IXYS

MOSFET N-CH 1700V 1A TO263

SOT-23

no conforme

IXTA1N170DHV Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
50 $11.45160 $572.58
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 1700 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 1A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 16Ohm @ 500mA, 0V
vgs(th) (máximo) @ id -
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 47 nC @ 5 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 3090 pF @ 25 V
característica fet Depletion Mode
disipación de potencia (máxima) 290W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-263HV
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

IRFR014TRPBF
IRFR014TRPBF
$0 $/pedazo
IRFP9240
IRFP9240
$0 $/pedazo
PSMN012-25YLC,115
IXFK44N50P
IXFK44N50P
$0 $/pedazo
STFI26N60M2
NTP082N65S3F
NTP082N65S3F
$0 $/pedazo

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