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IXTH96N20P

IXTH96N20P

IXTH96N20P

IXYS

MOSFET N-CH 200V 96A TO247

SOT-23

no conforme

IXTH96N20P Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
30 $5.47367 $164.2101
55 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 96A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 24mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 145 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 4800 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 600W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-247 (IXTH)
paquete / caja TO-247-3
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Número de pieza relacionado

IXTA260N055T2
IXTA260N055T2
$0 $/pedazo
IXTN60N50L2
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$0 $/pedazo
SI2306BDS-T1-E3
APT12060LVFRG
IXFN20N120P
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$0 $/pedazo
FDZ372NZ
NVHL082N65S3F
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$0 $/pedazo

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