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IXTQ50N25T

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IXYS

MOSFET N-CH 250V 50A TO3P

SOT-23

no conforme

IXTQ50N25T Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
30 $3.93767 $118.1301
298 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 250 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 50A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 60mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 5V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 4000 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 400W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-3P
paquete / caja TO-3P-3, SC-65-3
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Número de pieza relacionado

DN3765K4-G
NVH4L020N090SC1
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$0 $/pedazo
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RQ5E050ATTCL
SI4483ADY-T1-GE3
IXTA08N100P
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$0 $/pedazo
STB18N60M6
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FQI27N25TU
STW19NM50N
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