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IXTQ52P10P

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IXYS

MOSFET P-CH 100V 52A TO3P

no conforme

IXTQ52P10P Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $5.68000 $5.68
30 $4.56767 $137.0301
120 $4.16150 $499.38
510 $3.36980 $1718.598
1,020 $2.84200 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 52A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 50mOhm @ 52A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2845 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-3P
paquete / caja TO-3P-3, SC-65-3
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Número de pieza relacionado

NDF08N50ZH
NDF08N50ZH
$0 $/pedazo
MTP3055VL
MTP3055VL
$0 $/pedazo
IPP60R950C6XKSA1
IPD42DP15LMATMA1
BUK6D22-30EX
FDPF5N50TYDTU
BSH105,235
BSH105,235
$0 $/pedazo
FDD6680A
IRF250P225

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