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PMPB11EN,115

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MOSFET N-CH 30V 9A DFN2020MD-6

compliant

PMPB11EN,115 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.18573 -
6,000 $0.17528 -
15,000 $0.16483 -
30,000 $0.15751 -
75,000 $0.15675 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 9A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 14.5mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 20.6 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 840 pF @ 10 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor DFN2020MD-6
paquete / caja 6-UDFN Exposed Pad
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Número de pieza relacionado

SIJ128LDP-T1-GE3
IPD60R600P6ATMA1
IRFB4610PBF
SIHB33N60E-GE3
SIHP21N80AEF-GE3
AUIRFR4620TRL
RFP50N06
RFP50N06
$0 $/pedazo
DMN3051L-7
SPW17N80C3FKSA1

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