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PSMN8R5-100ES

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

no conforme

PSMN8R5-100ES Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto -
característica fet -
voltaje de drenaje a fuente (vdss) -
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C -
rds activado (máximo) @ id, vgs -
vgs(th) (máximo) @ id -
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs -
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
potencia - máx. -
Temperatura de funcionamiento -
tipo de montaje -
paquete / caja -
paquete de dispositivo del proveedor -
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Número de pieza relacionado

SI4910DY-T1-E3
MSCMC90AM12C3AG
SI4816DY-T1-GE3
NTMD6N04R2G
NTMD6N04R2G
$0 $/pedazo
SI4967DY-T1-E3
SI6943BDQ-T1-GE3
FDMS3660AS
FDMS3660AS
$0 $/pedazo
SP8M8FD5TB1

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