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PHU11NQ10T,127

PHU11NQ10T,127

PHU11NQ10T,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 100V 10.9A IPAK

no conforme

PHU11NQ10T,127 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 10.9A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 180mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 14.7 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 360 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 57.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor I-Pak
paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número de pieza relacionado

SI2392DS-T1-GE3
IXTH152N085T
IXTH152N085T
$0 $/pedazo
RSS070N05TB1
IXFR13N50
IXFR13N50
$0 $/pedazo
ZXM64P035L3
SUD35N05-26L-E3
IPD60R800CEATMA1
IRFR3707TRL
STD38NH02L-1
SUM70N03-09CP-E3

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