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FDB070AN06A0-F085

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 15A TO263AB

no conforme

FDB070AN06A0-F085 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
800 $1.56750 $1254
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 15A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 66 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 3000 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 175W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

SI4866DY-T1-GE3
FDMS8690
SIHP35N60E-BE3
AUIRF3205Z
SI9407BDY-T1-GE3
SI7868ADP-T1-E3
TP2104K1-G
NTA4153NT1G
NTA4153NT1G
$0 $/pedazo
R6008FNX
R6008FNX
$0 $/pedazo
RS3E075ATTB1

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