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FDC6301N_G

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onsemi

MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6

no conforme

FDC6301N_G Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 25V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 220mA
rds activado (máximo) @ id, vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 0.7nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 9.5pF @ 10V
potencia - máx. 700mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
paquete de dispositivo del proveedor SuperSOT™-6
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Número de pieza relacionado

APTM60A23FT1G
2N7002DWKX-13
FMP76-010T
FMP76-010T
$0 $/pedazo
FS03MR12A6MA1LB
MCH6606-TL-E
MCH6606-TL-E
$0 $/pedazo
APTMC120HM17CT3AG

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