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FDFS2P106A

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onsemi

MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

compliant

FDFS2P106A Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.65608 -
5,000 $0.62508 -
12,500 $0.60294 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 3A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 110mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 714 pF @ 30 V
característica fet Schottky Diode (Isolated)
disipación de potencia (máxima) 900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número de pieza relacionado

DMPH6250SQ-13
BUK9219-55A,118
IRFU7440PBF
DMP2215L-7
BUK6209-30C,118
BUK6209-30C,118
$0 $/pedazo
IXTP1R4N100P
IXTP1R4N100P
$0 $/pedazo
RM80N30DN
RM80N30DN
$0 $/pedazo
IRFW720BTMNL

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