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FQB13N10TM

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK

no conforme

FQB13N10TM Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 12.8A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 180mOhm @ 6.4A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±25V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 450 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 3.75W (Ta), 65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

IRF6629TRPBF
IRF3709L
IRF3709SPBF
STD4NK50ZD
STD4NK50ZD
$0 $/pedazo
BSP603S2LHUMA1
MCQ60P05-TP
STP5NB40
STP5NB40
$0 $/pedazo

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