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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Discontinued at Digi-Key |
tipo feto | P-Channel |
tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 30 V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 5A (Ta) |
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 4V, 10V |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 59mOhm @ 3A, 10V |
vgs(th) (máximo) @ id | - |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 10 nC @ 10 V |
vgs (máximo) | ±20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 430 pF @ 10 V |
característica fet | - |
disipación de potencia (máxima) | 1.5W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | - |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete de dispositivo del proveedor | 6-MCPH |
paquete / caja | 6-SMD, Flat Leads |
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