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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Obsolete |
tipo feto | N-Channel |
tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 60 V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 20A (Ta) |
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 5V |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 48mOhm @ 10A, 5V |
vgs(th) (máximo) @ id | 2V @ 250µA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 32 nC @ 5 V |
vgs (máximo) | ±15V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 990 pF @ 25 V |
característica fet | - |
disipación de potencia (máxima) | 1.36W (Ta), 60W (Tj) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo de montaje | Through Hole |
paquete de dispositivo del proveedor | I-PAK |
paquete / caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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