Welcome to ichome.com!
Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Obsolete |
tipo feto | N-Channel |
tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 30 V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 6.9A (Ta) |
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 4.5V, 10V |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 13mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (máximo) @ id | 2.5V @ 250µA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 15 nC @ 4.5 V |
vgs (máximo) | ±20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 735 pF @ 24 V |
característica fet | - |
disipación de potencia (máxima) | 1W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete de dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
paquete / caja | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.