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NVH4L040N120SC1

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NVH4L040N120SC1

onsemi

SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4

SOT-23

no conforme

NVH4L040N120SC1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $23.36000 $23.36
500 $23.1264 $11563.2
1000 $22.8928 $22892.8
1500 $22.6592 $33988.8
2000 $22.4256 $44851.2
2500 $22.192 $55480
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 1200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 58A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 20V
rds activado (máximo) @ id, vgs 56mOhm @ 35A, 20V
vgs(th) (máximo) @ id 4.3V @ 10mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 106 nC @ 20 V
vgs (máximo) +25V, -15V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1762 pF @ 800 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 319W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-247-4L
paquete / caja TO-247-4
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Número de pieza relacionado

SQM50N04-4M0L_GE3
SI4686DY-T1-E3
IPW65R190C7XKSA1
NVH4L020N120SC1
NVH4L020N120SC1
$0 $/pedazo
IXTA1N170DHV
IXTA1N170DHV
$0 $/pedazo
IRFR014TRPBF
IRFR014TRPBF
$0 $/pedazo
IRFP9240
IRFP9240
$0 $/pedazo

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