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NVMFD6H852NLT1G

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL

no conforme

NVMFD6H852NLT1G Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $1.23000 $1.23
500 $1.2177 $608.85
1000 $1.2054 $1205.4
1500 $1.1931 $1789.65
2000 $1.1808 $2361.6
2500 $1.1685 $2921.25
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 80 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 7A (Ta), 25A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2V @ 26µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 521 pF @ 40 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
paquete / caja 8-PowerTDFN
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Número de pieza relacionado

FDP5690
STK22N6F3
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$0 $/pedazo
IXTL2N450
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2N7002LT7G
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SI8800EDB-T2-E1
2N7002,215
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$0 $/pedazo
IXFH30N60P
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