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SI8800EDB-T2-E1

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT

SOT-23

no conforme

SI8800EDB-T2-E1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.17272 -
6,000 $0.16157 -
15,000 $0.15043 -
30,000 $0.14263 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 1.5V, 4.5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 80mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 8.3 nC @ 8 V
vgs (máximo) ±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 4-Microfoot
paquete / caja 4-XFBGA, CSPBGA
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Número de pieza relacionado

2N7002,215
2N7002,215
$0 $/pedazo
IXFH30N60P
IXFH30N60P
$0 $/pedazo
AUIRFS4010-7TRL
NTGS3443T1G
NTGS3443T1G
$0 $/pedazo
NTTFS022N15MC
NTTFS022N15MC
$0 $/pedazo
NTE2398
NTE2398
$0 $/pedazo
IXFK170N20T
IXFK170N20T
$0 $/pedazo

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