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IXFK170N20T

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA

no conforme

IXFK170N20T Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $11.60000 $11.6
25 $9.51200 $237.8
100 $8.58400 $858.4
500 $7.19200 $3596
1,000 $6.49600 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 170A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 11mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 5V @ 4mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 265 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 19600 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-264AA (IXFK)
paquete / caja TO-264-3, TO-264AA
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Número de pieza relacionado

IPP65R600C6
AUIRFP2907
IPT65R195G7XTMA1
SISH617DN-T1-GE3
NTHS5443T1
NTHS5443T1
$0 $/pedazo
IPT60R050G7XTMA1
HUFA76407D3S
SUD80460E-GE3

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