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IPT65R195G7XTMA1

IPT65R195G7XTMA1

IPT65R195G7XTMA1

MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF

no conforme

IPT65R195G7XTMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,000 $1.70806 -
6,000 $1.64384 -
1732 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 650 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 14A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 195mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 240µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 996 pF @ 400 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 97W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-HSOF-8-2
paquete / caja 8-PowerSFN
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Número de pieza relacionado

SISH617DN-T1-GE3
NTHS5443T1
NTHS5443T1
$0 $/pedazo
IPT60R050G7XTMA1
HUFA76407D3S
SUD80460E-GE3
PMT200EPEX
PMT200EPEX
$0 $/pedazo
IXFA80N25X3-TRL
IXFA80N25X3-TRL
$0 $/pedazo
SI4634DY-T1-GE3

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