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SISH617DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK

no conforme

SISH617DN-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.41189 -
6,000 $0.38516 -
15,000 $0.37179 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 13.9A (Ta), 35A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 59 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±25V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1800 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8SH
paquete / caja PowerPAK® 1212-8SH
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Número de pieza relacionado

NTHS5443T1
NTHS5443T1
$0 $/pedazo
IPT60R050G7XTMA1
HUFA76407D3S
SUD80460E-GE3
PMT200EPEX
PMT200EPEX
$0 $/pedazo
IXFA80N25X3-TRL
IXFA80N25X3-TRL
$0 $/pedazo
SI4634DY-T1-GE3
SI4848DY-T1-E3

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