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IPP65R600C6

IPP65R600C6

IPP65R600C6

N-CHANNEL POWER MOSFET

no conforme

IPP65R600C6 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.60000 $0.6
500 $0.594 $297
1000 $0.588 $588
1500 $0.582 $873
2000 $0.576 $1152
2500 $0.57 $1425
1791 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 650 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 7.3A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 600mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.5V @ 210µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 440 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

AUIRFP2907
IPT65R195G7XTMA1
SISH617DN-T1-GE3
NTHS5443T1
NTHS5443T1
$0 $/pedazo
IPT60R050G7XTMA1
HUFA76407D3S
SUD80460E-GE3

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