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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Obsolete |
tipo feto | P-Channel |
tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 12 V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 4A (Ta) |
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 1.8V, 4V |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 42mOhm @ 1A, 4V |
vgs(th) (máximo) @ id | 1V @ 1mA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | - |
vgs (máximo) | ±8V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 1200 pF @ 10 V |
característica fet | - |
disipación de potencia (máxima) | 700mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete de dispositivo del proveedor | WSMini6-F1-B |
paquete / caja | 6-SMD, Flat Leads |
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