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MTM761100LBF

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MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6

no conforme

MTM761100LBF Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.15299 -
6,000 $0.14312 -
15,000 $0.13818 -
1526 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 12 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 1.8V, 4V
rds activado (máximo) @ id, vgs 42mOhm @ 1A, 4V
vgs(th) (máximo) @ id 1V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máximo) ±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1200 pF @ 10 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor WSMini6-F1-B
paquete / caja 6-SMD, Flat Leads
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Número de pieza relacionado

2SK3702
2SK3702
$0 $/pedazo
RM47N650T7
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$0 $/pedazo
APT20M34SLLG/TR
BSC150N03LD
IXFH70N65X3
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$0 $/pedazo
SIHD7N60E-E3
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$0 $/pedazo
ZXMN3A01FQTA

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