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PJP100P03_T0_00001

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30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

SOT-23

no conforme

PJP100P03_T0_00001 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $1.37000 $1.37
500 $1.3563 $678.15
1000 $1.3426 $1342.6
1500 $1.3289 $1993.35
2000 $1.3152 $2630.4
2500 $1.3015 $3253.75
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 15.8A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 107 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 6067 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 2W (Ta), 119W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

DMG2302UKQ-13
NTP7D3N15MC
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$0 $/pedazo
ZXMN7A11KTC
MCH6627-TL-E
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$0 $/pedazo
SIR826ADP-T1-GE3
NTHS4111PT1
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$0 $/pedazo
IPA80R1K2P7XKSA1
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