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QJD1210011

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Powerex Inc.

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

no conforme

QJD1210011 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Silicon Carbide (SiC)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 1200V (1.2kV)
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 100A (Tc)
rds activado (máximo) @ id, vgs 25mOhm @ 100A, 20V
vgs(th) (máximo) @ id 5V @ 10mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 500nC @ 20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 10200pF @ 800V
potencia - máx. 900W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Chassis Mount
paquete / caja Module
paquete de dispositivo del proveedor Module
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Número de pieza relacionado

APTC90DDA12T1G
VBH40-05B
VBH40-05B
$0 $/pedazo
APTM20DUM10TG
FDMS3669S-SN00345
FDMS3669S-SN00345
$0 $/pedazo
APTM120A65FT1G
APTC60DDAM45CT1G
LP8M3FP8TB1

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