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QS8M12TCR

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MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8

no conforme

QS8M12TCR Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.31175 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N and P-Channel
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4A
rds activado (máximo) @ id, vgs 42mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 3.4nC @ 5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 250pF @ 10V
potencia - máx. 1.5W
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SMD, Flat Lead
paquete de dispositivo del proveedor TSMT8
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Número de pieza relacionado

VEC2616-TL-H-Z
VEC2616-TL-H-Z
$0 $/pedazo
SI4276DY-T1-GE3
HUFA76407DK8TF085P
HUFA76407DK8TF085P
$0 $/pedazo
SI8900EDB-T2-E1
SI4228DY-T1-E3

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