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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Active |
tipo feto | N and P-Channel |
característica fet | Standard |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 30V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 9A (Ta), 8.5A (Ta) |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 21.4mOhm @ 9A, 10V, 29.6mOhm @ 8.5A, 10V |
vgs(th) (máximo) @ id | 2.5V @ 1mA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 15.5nC @ 10V, 19.6nC @ 10V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 640pF @ 15V, 890pF @ 15V |
potencia - máx. | 2W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOP |
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