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TK10P60W,RVQ

TK10P60W,RVQ

TK10P60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

compliant

TK10P60W,RVQ Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,000 $1.24740 -
11089 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 600 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 9.7A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 430mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.7V @ 500µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 700 pF @ 300 V
característica fet Super Junction
disipación de potencia (máxima) 80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor DPAK
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

SQ4840EY-T1_BE3
SIHP8N50D-GE3
NTD4810N-35G
NTD4810N-35G
$0 $/pedazo
STD120N4F6
STD120N4F6
$0 $/pedazo
FQP2N80
RF4L040ATTCR
IRLZ24PBF-BE3

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