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SI4966DY-T1-GE3

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SI4966DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

no conforme

SI4966DY-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C -
rds activado (máximo) @ id, vgs 25mOhm @ 7.1A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 50nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
potencia - máx. 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
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Número de pieza relacionado

SP8J1TB
SP8J1TB
$0 $/pedazo
QS8M12TCR
QS8M12TCR
$0 $/pedazo
VEC2616-TL-H-Z
VEC2616-TL-H-Z
$0 $/pedazo
SI4276DY-T1-GE3
HUFA76407DK8TF085P
HUFA76407DK8TF085P
$0 $/pedazo

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