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SI5935CDC-T1-GE3

SI5935CDC-T1-GE3

SI5935CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8

no conforme

SI5935CDC-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.21660 -
6,000 $0.20340 -
15,000 $0.19020 -
30,000 $0.18096 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 P-Channel (Dual)
característica fet Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4A
rds activado (máximo) @ id, vgs 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 11nC @ 5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 455pF @ 10V
potencia - máx. 3.1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SMD, Flat Lead
paquete de dispositivo del proveedor 1206-8 ChipFET™
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Número de pieza relacionado

DMN4026SSD-13
SMA5131
SMA5131
$0 $/pedazo
SIZ254DT-T1-GE3
EPC2101
EPC2101
$0 $/pedazo
CSD87501L
CSD87501L
$0 $/pedazo
SI6954ADQ-T1-E3
MCH6635-TL-E
MCH6635-TL-E
$0 $/pedazo

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