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SI5980DU-T1-GE3

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SI5980DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET

no conforme

SI5980DU-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2.5A
rds activado (máximo) @ id, vgs 567mOhm @ 400mA, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 3.3nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 78pF @ 50V
potencia - máx. 7.8W
Temperatura de funcionamiento -
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja PowerPAK® ChipFET™ Dual
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® ChipFet Dual
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Número de pieza relacionado

SIB911DK-T1-GE3
SH8M13GZETB
FDG6301N_D87Z
FDG6301N_D87Z
$0 $/pedazo
IRF7754GTRPBF
SI4388DY-T1-E3
SI4618DY-T1-GE3
AUIRF7342Q
SI5903DC-T1-GE3

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