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SI7909DN-T1-GE3

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SI7909DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

no conforme

SI7909DN-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 2 P-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 12V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 5.3A
rds activado (máximo) @ id, vgs 37mOhm @ 7.7A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1V @ 700µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 24nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
potencia - máx. 1.3W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja PowerPAK® 1212-8 Dual
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8 Dual
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Número de pieza relacionado

FDS6986AS_SN00192
FDS6986AS_SN00192
$0 $/pedazo
BSZ0909NDXTMA1
SI3529DV-T1-E3
ZXMC4A16DN8TC
IRF7335D1TR
SIA913DJ-T1-GE3
SI1903DL-T1-E3
IRF7757TRPBF
SI7904DN-T1-E3

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