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SI8851EDB-T2-E1

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT

compliant

SI8851EDB-T2-E1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.26781 -
6,000 $0.25043 -
15,000 $0.24174 -
30,000 $0.23700 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 7.7A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 1.8V, 4.5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 8mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 180 nC @ 8 V
vgs (máximo) ±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 6900 pF @ 10 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 660mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor Power Micro Foot® (2.4x2)
paquete / caja 30-XFBGA
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Número de pieza relacionado

RF4E060AJTCR
SI4874BDY-T1-E3
IXTT80N20L
IXTT80N20L
$0 $/pedazo
STH240N75F3-6
STP9N65M2
STP9N65M2
$0 $/pedazo
SI7141DP-T1-GE3
SI3477DV-T1-GE3
HUF75333P3

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