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SIHG24N80AEF-GE3

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Vishay Siliconix

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

no conforme

SIHG24N80AEF-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $5.10000 $5.1
500 $5.049 $2524.5
1000 $4.998 $4998
1500 $4.947 $7420.5
2000 $4.896 $9792
2500 $4.845 $12112.5
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 800 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 20A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 195mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1889 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-247AC
paquete / caja TO-247-3
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Número de pieza relacionado

SIHG180N60E-GE3
IRFD9120
IRFD9120
$0 $/pedazo
SIRA88DP-T1-GE3
5LP01S-TL-E
5LP01S-TL-E
$0 $/pedazo
MMSF7N03ZR2
MMSF7N03ZR2
$0 $/pedazo
PMK35EP,518
PMK35EP,518
$0 $/pedazo

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