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SIRA10BDP-T1-GE3

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SIRA10BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8

compliant

SIRA10BDP-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.34021 -
6,000 $0.31675 -
15,000 $0.30502 -
30,000 $0.29862 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 30A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 3.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 36.2 nC @ 10 V
vgs (máximo) +20V, -16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1710 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 5W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
paquete / caja PowerPAK® SO-8
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Número de pieza relacionado

STW26NM60N
STW26NM60N
$0 $/pedazo
IXFT88N30P
IXFT88N30P
$0 $/pedazo
FDB12N50TM
FDB12N50TM
$0 $/pedazo
RM130N30D3
RM130N30D3
$0 $/pedazo
SQJ164ELP-T1_GE3
IRF3805STRL-7PP
NVMFS5C604NLWFAFT1G
NVMFS5C604NLWFAFT1G
$0 $/pedazo
SCH1332-TL-W
SCH1332-TL-W
$0 $/pedazo

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