Welcome to ichome.com!

logo
Hogar

SIRA20BDP-T1-GE3

SIRA20BDP-T1-GE3

SIRA20BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK

compliant

SIRA20BDP-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $1.72000 $1.72
500 $1.7028 $851.4
1000 $1.6856 $1685.6
1500 $1.6684 $2502.6
2000 $1.6512 $3302.4
2500 $1.634 $4085
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 25 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 82A (Ta), 335A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) -
rds activado (máximo) @ id, vgs 0.58mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.1V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 186 nC @ 10 V
vgs (máximo) +16V, -12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 9950 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
paquete / caja PowerPAK® SO-8
Error en la carga del PDF, puedes intentar abrirlo en una nueva ventana para acceder [Abierto], o haga clic para regresar

Número de pieza relacionado

BSS169H6906XTSA1
RX3G07CGNC16
UF3C065080T3S
UF3C065080T3S
$0 $/pedazo
SI2377EDS-T1-BE3
SIS782DN-T1-GE3
CSD19503KCS
CSD19503KCS
$0 $/pedazo

Su socio confiable en electrónica

Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.