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SIS932EDN-T1-GE3

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SIS932EDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

no conforme

SIS932EDN-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.25595 -
6,000 $0.24035 -
15,000 $0.22475 -
30,000 $0.21383 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 6A (Tc)
rds activado (máximo) @ id, vgs 22mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1.4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 14nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1000pF @ 15V
potencia - máx. 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja PowerPAK® 1212-8 Dual
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8 Dual
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Número de pieza relacionado

IRF7103TRPBF
SI6562CDQ-T1-GE3
SI3900DV-T1-E3
EMH2408-TL-H
EMH2408-TL-H
$0 $/pedazo
SQ3585EV-T1_GE3
SQ9945BEY-T1_BE3

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