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SISS71DN-T1-GE3

SISS71DN-T1-GE3

SISS71DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S

compliant

SISS71DN-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.52480 -
6,000 $0.50016 -
15,000 $0.48256 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 23A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 59mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 4.5 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1050 pF @ 50 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8S
paquete / caja PowerPAK® 1212-8S
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Número de pieza relacionado

NVD5C486NT4G
NVD5C486NT4G
$0 $/pedazo
STL35N75LF3
IRFZ14SPBF
IRFZ14SPBF
$0 $/pedazo
P3M06300D5
VN0550N3-G-P013
IRFL9110TRPBF-BE3
ISP16DP10LMXTSA1
RQ6E080AJTCR
IPB60R099P7ATMA1

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