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DMTH41M8SPSQ-13

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MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8

SOT-23

no conforme

DMTH41M8SPSQ-13 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.91800 $0.918
500 $0.90882 $454.41
1000 $0.89964 $899.64
1500 $0.89046 $1335.69
2000 $0.88128 $1762.56
2500 $0.8721 $2180.25
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 40 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 100A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 1.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 79.5 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 6968 pF @ 20 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 3.03W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerDI5060-8 (Type K)
paquete / caja 8-PowerTDFN
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Número de pieza relacionado

STP14NK50ZFP
NTMFS4707NT1G
NTMFS4707NT1G
$0 $/pedazo
IXFH90N65X3
IXFH90N65X3
$0 $/pedazo
DMN2050L-7
RTF025N03TL
R6030MNX
R6030MNX
$0 $/pedazo
NTHL065N65S3F
NTHL065N65S3F
$0 $/pedazo
BUK9675-55A,118
RAL035P01TCR
2N7002KQBZ
2N7002KQBZ
$0 $/pedazo

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