Welcome to ichome.com!
Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Active |
tipo feto | P-Channel |
tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 55 V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 31A (Tc) |
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 10V |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 65mOhm @ 16A, 10V |
vgs(th) (máximo) @ id | 4V @ 250µA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 63 nC @ 10 V |
vgs (máximo) | ±20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 1200 pF @ 25 V |
característica fet | - |
disipación de potencia (máxima) | 110W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.