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FQD1N80TM

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onsemi

MOSFET N-CH 800V 1A DPAK

no conforme

FQD1N80TM Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.35313 -
5,000 $0.32878 -
12,500 $0.31660 -
25,000 $0.30996 -
0 items
Bajada de costes de Bom
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Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Last Time Buy
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 800 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 1A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 20Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 7.2 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 195 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-252AA
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

IPB60R180P7ATMA1
FDS2572
FDS2572
$0 $/pedazo
2SK3702
2SK3702
$0 $/pedazo
RM47N650T7
RM47N650T7
$0 $/pedazo
APT20M34SLLG/TR
BSC150N03LD

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