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FDS2572

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onsemi

MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC

FDS2572 Ficha de datos

no conforme

FDS2572 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.70008 -
5,000 $0.66508 -
12,500 $0.64008 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 150 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4.9A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 6V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 47mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2050 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número de pieza relacionado

2SK3702
2SK3702
$0 $/pedazo
RM47N650T7
RM47N650T7
$0 $/pedazo
APT20M34SLLG/TR
BSC150N03LD
IXFH70N65X3
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$0 $/pedazo
SIHD7N60E-E3
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$0 $/pedazo

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