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2SK2009TE85LF

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MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3

no conforme

2SK2009TE85LF Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.18755 -
6,000 $0.17545 -
15,000 $0.16940 -
5976 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 200mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 2.5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 2Ohm @ 50MA, 2.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1.5V @ 100µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 70 pF @ 3 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor SC-59-3
paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número de pieza relacionado

FQA18N50V2
NTMYS3D5N04CTWG
NTMYS3D5N04CTWG
$0 $/pedazo
FQD1N80TM
FQD1N80TM
$0 $/pedazo
IPB60R180P7ATMA1
FDS2572
FDS2572
$0 $/pedazo

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