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IPB330P10NMATMA1

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TRENCH >=100V PG-TO263-3

compliant

IPB330P10NMATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $6.25000 $6.25
500 $6.1875 $3093.75
1000 $6.125 $6125
1500 $6.0625 $9093.75
2000 $6 $12000
2500 $5.9375 $14843.75
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 33mOhm @ 53A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 5.55mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 236 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 11000 pF @ 50 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-3
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

APTM50SKM19G
NTTFS034N15MC
NTTFS034N15MC
$0 $/pedazo
GT025N06D5
SCT2280KEGC11
DMT6009LFG-7
IXTT140N10P-TRL
IXTT140N10P-TRL
$0 $/pedazo
IRF642R
IRF642R
$0 $/pedazo

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