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Nombre | Valor |
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Estado del producto | Last Time Buy |
tipo feto | P-Channel |
tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 20 V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 5.3A (Ta) |
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 4.5V, 10V |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 60mOhm @ 5.3A, 10V |
vgs(th) (máximo) @ id | 2.5V @ 250µA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 25 nC @ 10 V |
vgs (máximo) | ±12V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 860 pF @ 10 V |
característica fet | - |
disipación de potencia (máxima) | 2.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |
paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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