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FCD380N60E

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onsemi

MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK

SOT-23

no conforme

FCD380N60E Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.97020 -
5,000 $0.93632 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 600 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 10.2A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 380mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1770 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 106W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-252AA
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

IRLB8743PBF
DMG2302UKQ-13
NTP7D3N15MC
NTP7D3N15MC
$0 $/pedazo
ZXMN7A11KTC
MCH6627-TL-E
MCH6627-TL-E
$0 $/pedazo
SIR826ADP-T1-GE3
NTHS4111PT1
NTHS4111PT1
$0 $/pedazo
IPA80R1K2P7XKSA1

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