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IXFN52N100X

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IXYS

MOSFET N-CH 1000V 44A SOT227B

no conforme

IXFN52N100X Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $39.60000 $39.6
10 $36.63000 $366.3
100 $31.28400 $3128.4
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 1000 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 44A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 125mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 6V @ 4mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 245 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 6725 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 830W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Chassis Mount
paquete de dispositivo del proveedor SOT-227B
paquete / caja SOT-227-4, miniBLOC
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Número de pieza relacionado

IRLR014PBF
IRLR014PBF
$0 $/pedazo
G15N10C
G15N10C
$0 $/pedazo
MCH6341-TL-H
MCH6341-TL-H
$0 $/pedazo
HUF75925D3ST
APT9M100S
APT56F60L
IPB50R140CPATMA1
IPP80R600P7XKSA1
SIHA12N50E-E3
NVMFS5C430NWFAFT1G
NVMFS5C430NWFAFT1G
$0 $/pedazo

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