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IXTA10N60P

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 10A TO263

no conforme

IXTA10N60P Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
50 $2.34000 $117
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 600 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 10A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 740mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 5.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1610 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-263AA
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

G65P06K
G65P06K
$0 $/pedazo
MTB10N40ET4
MTB10N40ET4
$0 $/pedazo
FDP6035L
PSMN018-100ESFQ
SI2343DS-T1-E3
BSS138BKWT106
RQ5E030RPTL

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