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VWM200-01P

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IXYS

MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

no conforme

VWM200-01P Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
característica fet Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 210A
rds activado (máximo) @ id, vgs 5.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 2mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 430nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
potencia - máx. -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Chassis Mount
paquete / caja V2-PAK
paquete de dispositivo del proveedor V2-PAK
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Número de pieza relacionado

IXTL2X200N085T
IXTL2X200N085T
$0 $/pedazo
FDC6301N_G
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$0 $/pedazo
APTM60A23FT1G
2N7002DWKX-13
FMP76-010T
FMP76-010T
$0 $/pedazo
FS03MR12A6MA1LB
MCH6606-TL-E
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$0 $/pedazo

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