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FDC5614P

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onsemi

MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6

no conforme

FDC5614P Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.28519 -
6,000 $0.26552 -
15,000 $0.25568 -
30,000 $0.25032 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 3A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 105mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 759 pF @ 30 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor SuperSOT™-6
paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número de pieza relacionado

IXTQ52P10P
IXTQ52P10P
$0 $/pedazo
NDF08N50ZH
NDF08N50ZH
$0 $/pedazo
MTP3055VL
MTP3055VL
$0 $/pedazo
IPP60R950C6XKSA1
IPD42DP15LMATMA1
BUK6D22-30EX
FDPF5N50TYDTU
BSH105,235
BSH105,235
$0 $/pedazo

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