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FDC642P-F085

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FDC642P-F085

onsemi

MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6

no conforme

FDC642P-F085 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.25558 -
6,000 $0.23909 -
15,000 $0.22260 -
30,000 $0.21106 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 2.5V, 4.5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 65mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 16 nC @ 4.5 V
vgs (máximo) ±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 640 pF @ 10 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor SuperSOT™-6
paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número de pieza relacionado

FQB13N10TM
FQB13N10TM
$0 $/pedazo
IRF6629TRPBF
IRF3709L
IRF3709SPBF
STD4NK50ZD
STD4NK50ZD
$0 $/pedazo
BSP603S2LHUMA1
MCQ60P05-TP
STP5NB40
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$0 $/pedazo

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